氧和水份對合成(cheng)反(fan)應傷害(hai)很大(da)

       影響三氯(lv)氫硅生產合成的(de)因素主要有：溫度(du)、氧和(he)水分的(de)影響、游(you)離氯(lv)的(de)控制、硅粉粒度(du)、料(liao)層高度(du)和(he)氯(lv)化(hua)氫流量。以下針對影響因素作簡要概述(shu)。

       硅粉粒度

       硅粉與氯化氫氣體反(fan)應是在硅的表面進行(xing)的，硅粉(fen)比表面積(ji)越(yue)大，越(yue)有(you)利(li)于(yu)反(fan)應，即要(yao)求硅粉(fen)粒度(du)應該較(jiao)小。但是粒度(du)過小，流化(hua)時容易形成聚式流化(hua)床，有(you)較(jiao)多的氣泡，將抑制傳質(zhi)進行(xing)，使氯 化(hua)氫的一(yi)次轉化(hua)率降低(di)(di)，同時，較(jiao)小的顆粒迅速反(fan)應，很(hen)(hen)快(kuai)就達到帶(dai)出粒徑范圍，使硅粉(fen)的利(li)用率降低(di)(di)。因此，選(xuan)用粒度(du)適中的硅粉(fen)是很(hen)(hen)重要(yao)的。

       氧和水份的影(ying)響

       氧(yang)(yang)和(he)水份(fen)對合成(cheng)反(fan)應(ying)傷(shang)害很(hen)大，因為Si-0化學鍵比Si-Cl化學鍵更穩(wen)定，進入系統的(de)氧(yang)(yang)元(yuan)素都會(hui)與硅(gui)(gui)(gui)合成(cheng)硅(gui)(gui)(gui)膠或硅(gui)(gui)(gui)氧(yang)(yang)烷類物質，一(yi)方面在(zai)硅(gui)(gui)(gui)粉表面形成(cheng)一(yi)層致(zhi)密的(de)氧(yang)(yang)化膜，影響反(fan)應(ying)的(de)正(zheng)常進行，使產物中三氯氫硅(gui)(gui)(gui)含量降低，此外還形成(cheng)硅(gui)(gui)(gui)膠類物質堵塞管道，使生產系統發生故障(zhang)。

       料層高度和氯化氫流量

       有形(xing)成“管涌”的(de)可(ke)能性，如果料層(ceng)過低(di)，產生(sheng)不均勻沸騰(teng)，反應的(de)接(jie)觸時間也縮短，產量會降低(di)。氯化氫的(de)流(liu)量決定了顆粒床的(de)流(liu)化狀態。具體(ti)的(de)料層(ceng)高度和氯化氫流(liu)量需通過實際生(sheng)產實踐確定。

       氯化氫中游離氯的控制

       游離(li)氯對合成(cheng)爐的(de)影響主要(yao)是(shi)(shi)兩個方面：一是(shi)(shi)含量過高有爆炸危險，另外是(shi)(shi)會影響合成(cheng)的(de)質(zhi)(zhi)量。通(tong)過氯化(hua)氫合成(cheng)爐反應時(shi)氫過量4%左右來控(kong)制游離(li)氯，并用含量檢測(ce)儀連續檢測(ce)氯化(hua)氫的(de)質(zhi)(zhi)量來確保游離(li)氯含量低于生產要(yao)求

       三氯氫硅生產合(he)(he)成中(zhong)，用到(dao)的(de)材料其特殊性(xing)，直接關(guan)系到(dao)三氯氫硅的(de)產品(pin)品(pin)質，以及合(he)(he)成過程的(de)正常運行。

       山東言赫化工有限公司專業經營淄博萬達利特種氣體公司生產的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術產品的生產和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生產的“華宇同方”牌高純氯化氫產品(pin)與國(guo)際(ji)知名品(pin)牌的(de)性能相當,為半(ban)導體(ti)器件制造業、光伏產業和(he)醫藥工業提供了充足(zu)的(de)優質原材料(liao)。