我們來看(kan)一下電子級(ji)氯化氫的凈化是關鍵的。

  在續(xu)批量(liang)(liang)生產應用(yong)于(yu)單晶(jing)硅外(wai)延片制造的(de)5N(99.999%)電子(zi)(zi)級(ji)(VLSI)氯(lv)化(hua)氫，以及應用(yong)于(yu)醫藥中(zhong)間(jian)體、農藥及精細化(hua)學(xue)品制造的(de)2.8N(99.8%)化(hua)學(xue)級(ji)氯(lv)化(hua)氫。產品性能先進(jin)，質(zhi)量(liang)(liang)穩定，處于(yu)國(guo)(guo)內(nei)領先地位，達到國(guo)(guo)際先進(jin)水平。鋼瓶(ping)裝電子(zi)(zi)級(ji)氯(lv)化(hua)氫產品分(fen)別經國(guo)(guo)家(jia)標(biao)(biao)準物質(zhi)研究(jiu)中(zhong)心和信息產業部專(zhuan)用(yong)材料質(zhi)量(liang)(liang)監督檢(jian)驗中(zhong)心抽樣檢(jian)驗，純度大于(yu)99.999%，總雜質(zhi)含量(liang)(liang)小于(yu)5ppm，符合國(guo)(guo)家(jia)標(biao)(biao)準GB/T24469-2009。

在(zai)氯化氫廣(guang)泛應用于半導體是、微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)和相關(guan)的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)(dian)池等(deng)高(gao)(gao)科技(ji)產(chan)(chan)業，或(huo)用于薄(bo)膜沉積、刻蝕(shi)、摻雜(za)、鈍化(hua)(hua)(hua)、清洗，或(huo)用作載氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)、保護氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)氛(fen)等(deng)等(deng)。由于半導體和微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術向更(geng)(geng)高(gao)(gao)性(xing)(xing)能、更(geng)(geng)高(gao)(gao)集成度發(fa)展(zhan)，對電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)級(ji)氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)氫的(de)(de)純度提(ti)出了(le)越(yue)來越(yue)高(gao)(gao)的(de)(de)要(yao)求，電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)級(ji)氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)氫的(de)(de)的(de)(de)凈(jing)化(hua)(hua)(hua)愈加關(guan)鍵和重要(yao)。目前國(guo)(guo)內的(de)(de)超(chao)高(gao)(gao)純度凈(jing)化(hua)(hua)(hua)技(ji)術主要(yao)依賴進(jin)口，自身的(de)(de)技(ji)術水準（6N）與國(guo)(guo)際先(xian)進(jin)水平(8-9N)有(you)較大差距。本項目將(jiang)設計和研發(fa)一系列高(gao)(gao)效、高(gao)(gao)容(rong)量(liang)、高(gao)(gao)選擇(ze)性(xing)(xing)、低成本的(de)(de)新(xin)型納(na)米凈(jing)化(hua)(hua)(hua)劑，對MO源、惰性(xing)(xing)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體、氫化(hua)(hua)(hua)物(wu)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體、反應性(xing)(xing)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體、腐蝕(shi)性(xing)(xing)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體等(deng)5個系列，50多種電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)特氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)進(jin)行末端凈(jing)化(hua)(hua)(hua)，使電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)特氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)純度由ppm級(ji)提(ti)高(gao)(gao)到ppb、ppt級(ji)，并將(jiang)氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)氫傳輸和控制(zhi)系統(tong)對氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體純度的(de)(de)影響(xiang)降(jiang)至最小(xiao)，從而(er)極大地改(gai)善(shan)工藝能力(li)，降(jiang)低產(chan)(chan)品缺陷， 提(ti)高(gao)(gao)制(zhi)程的(de)(de)產(chan)(chan)量(liang)，滿足下(xia)一代半導體、微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)以及相關(guan)高(gao)(gao)技(ji)術發(fa)展(zhan)的(de)(de)需要(yao)。本項目將(jiang)形成有(you)自主知識產(chan)(chan)權的(de)(de)超(chao)高(gao)(gao)純度電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)特氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)凈(jing)化(hua)(hua)(hua)技(ji)術，解決超(chao)高(gao)(gao)純度電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)特氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)凈(jing)化(hua)(hua)(hua)這一核心技(ji)術的(de)(de)國(guo)(guo)產(chan)(chan)化(hua)(hua)(hua)問題(ti)。

    看(kan)完(wan)了希望能給大家帶來(lai)幫助！